Каталог печатных изданий библиотеки НИУ ВШЭ

eng|rus

Пожалуйста, бронируйте контрольные экземпляры только тех книг, которых нет
в наличии ни в читальных залах, ни в открытом доступе, ни на научном абонементе.
По вопросам доступа к электронному каталогу обращайтесь в
отдел информационных систем и электронных ресурсов Библиотеки

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Петросянц, К. О. - TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации

Петросянц, К. О. - TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации

Статья
Автор: Петросянц, К. О.
Известия высших учебных заведений. Сер. Электроника: TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Петросянц, К. О.
TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации / К. О. Петросянц, и др. // Известия высших учебных заведений. Сер. Электроника. – 2021. – Т.26, N.5. – С. 374-386.

общий = Общее машиностроение. Ядерная технология. Электротехника. Технология машиностроения = mechanical engineering in general. Nuclear technology. Electrical engineering. Machinery [621] : электротехника. ТОЭ = electrical engineeging. [621.3] : электроника. Фотоэлектроника. Электронные лампы. Рентгенотехника. Ускорители частиц = electronics. Photoelectronics. Vacuum tube. X-ray technology [621.38]
общий = Физика [53] : строение материи [539]
общий = Труды сотрудников НИУ ВШЭ : Петросянц К. О.